Серия | TX4S |
Напряжение питания | 100-240 В перем. тока, 50/60 Гц |
Допуст. диапазон напряжения | от 90 до 110% номинального напряжения |
Потребляемая мощность | Не более 8 ВА |
Дисплей | 11-сегментный (PV: белый, SV: зелёный), другие области (желтый) с технологией ЖК |
Размер знака | PV (Ш х В) | 6,9 х 15,3 мм |
SV (Ш х В) | 4,1 х 9,2 мм |
Тип входа | Термосопротивление | DPt100Ω (100 Ом), Cu50Ω (50 Ом) (допустимое сопротивление линии макс. 5 Ом) |
Термопара | K(CA), J)IC), L(IC), T(CC), R(PR), S(PR) |
Точность
показаний
| Термосопротивление |
При комнатной температуре (23ºС ±5ºС): (PV ±0,3% или ±1ºС, выберите большее значение) ± 1 ед.
Вне диапазона комн. температур: (PV ±0,3% или ±1ºС, выберите большее значение) ± 1 ед.
|
Термопара |
Дополнительный
выход
| Выход сигнализ. | Выход сигнализации 1 (AL1), Выход сигнализации 2 (AL2) Реле: 250 В перем. тока, 3А, 1а |
Передат. выход | Постоянный ток 4-20 мА (сопротивление нагрузки макс. 500 Ом, выходная точность: ±0,3% п.ш) |
Коммун. выход | Порт RS485 (использование Modbus RTU) |
Тип регулирования | Вкл/Выкл, П-, ПИ-, ПД-, ПИД-регулирование |
Гистерезис | 1 – 100ºC/°F (от 0,1 до 50,0ºC/ºF) переменная величина |
Диапазон пропорц. регулир. (П) | 0,1 - 999,9ºC/ºF |
Интеграл. составляющая (И) | 0 - 9999 сек. |
Дифференц. составляющая (Д) | 0 - 9999 сек. |
Время регулирования (Т) | 0,5 - 120,0 сек. |
Ручной сброс значений | 0,0 - 100,0% |
Период измерения | 50 мс |
Диэлектрическая прочность | 3000 В перем. тока, 50/60 Гц в течении 1 мин. (между всеми клеммами и корпусом) |
Вибрация | Амплитуда 0,75 мм при частоте 5-55 Гц (в течении 1 мин) по каждой оси X, Y, Z в течении 2 часов |
Эксплуатац.
ресурс реле
| Механический | Вых., выход сигнализации 1/2: мин. 5.000.000 операций |
Электрический | Вых., выход сигнализации 1/2: мин. 200.000 операций (резистивная нагрузка 250 В перем. тока, 3А) |
Сопротивление изоляции | Мин. 100 МОм (при 500 В пост. тока по мегомметру) |
Устойчивость к помехам |
Шум прямоугольной формы при использовании имиттора шума (длительность импульса 1 мс) ±2 кВ,
R-фазы, S-фазы
|
Хранение данных в памяти | Прибл. 10 лет (энергонезависимая память полупроводникового типа) |
Усл. хран. и
эксплуатации
| Темп. окруж. среды |
От -10 до 50ºC,
Хранение: от -20 до 60ºC
|
Влажность |
От 35 до 85% относительной влажности
Хранение: от 35 до 85% относительной влажности
|
Класс защиты корпуса | IP50 |
Тип изоляции |
Двойная изоляция или усиленная изоляция
(Диэлектрическая прочность между всеми клеммами и корпусом: 3 кВ)
|
Масса | 85,2 г |